CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該車輛為統計和電信網等各項RF主機電源技術應用供應公用和帶寬完成方案格式。
該電源電路是在SiC襯底上分為0.25μm柵長的GaN HEMT方法制造技術的。
它以裸集成ic表現形式做出,以及要求其他符合電源線路。
微波通信元電子元件
CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻繁 (GHz): 18 @ 6事情的頻率(GHz): 數最多八個飽和狀態工率(W): 88PAE(%)@頻繁(GHz): 65 @ 6備貨交貨:3-4周CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該車輛為統計和電信網等各項RF主機電源技術應用供應公用和帶寬完成方案格式。
該電源電路是在SiC襯底上分為0.25μm柵長的GaN HEMT方法制造技術的。
它以裸集成ic表現形式做出,以及要求其他符合電源線路。