CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電線使用pHEMT生產工藝研發,柵極間距為0.25μm,完成基材的通孔,熱空氣橋和電子廠束柵極夜刻能力研發。
它以復合RoHS的SMD打包封裝帶來。
微波射頻元集成電路芯片
CHA3688aQDG 放大器– LNA
微波射頻資源帶寬(GHZ):12.5-30增益控制(dB):26增益值同軸度(dB):2背景噪聲標準值(dB):2P-1dB輸出(dBm):14備貨交貨:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電線使用pHEMT生產工藝研發,柵極間距為0.25μm,完成基材的通孔,熱空氣橋和電子廠束柵極夜刻能力研發。
它以復合RoHS的SMD打包封裝帶來。