CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路用于規范的pHEMT生產技術研制:柵極厚度0.25μm,能夠 的基板的通孔,冷空氣橋和自動化束柵極夜刻。
它以集成ic內容展示 。
微波射頻元集成電路芯片
CHA2066-99F 放大器– LNA
rf射頻上行帶寬(GHZ): 10 - 16增益控制(dB):16收獲同軸度(dB):0.5噪音分貝數值(dB):2P-1dB傳輸(dBm):10備貨貨期:3-4周CHA2066-99F是兩級寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路用于規范的pHEMT生產技術研制:柵極厚度0.25μm,能夠 的基板的通孔,冷空氣橋和自動化束柵極夜刻。
它以集成ic內容展示 。