所述CHA3666-FAB是兩極自偏置寬頻率段片式低噪音分貝放縮器。
該電路板采用了基準的pHEMT制作工藝創造:柵極間距0.25μm,經由的基板的通孔,空氣質量橋和電子器材束柵星空刻。
最好所采用無鉛從表面貼裝全密封復合瓷磚6x6mm2二極管封裝。總體電壓為4V / 80mA。
該電路設計轉用于太空船應運,也非常的合適不同的微波通信和mm波應運和軟件。
微波加熱元功率器件
CHA3666-FAB 放大器– LNA
微波射頻上行速率(GHZ): 6 - 16增益控制(dB):21收獲同軸度(dB):1噪音數值(dB):1.8P-1dB傳輸(dBm):17備貨交貨期:3-4周所述CHA3666-FAB是兩極自偏置寬頻率段片式低噪音分貝放縮器。
該電路板采用了基準的pHEMT制作工藝創造:柵極間距0.25μm,經由的基板的通孔,空氣質量橋和電子器材束柵星空刻。
最好所采用無鉛從表面貼裝全密封復合瓷磚6x6mm2二極管封裝。總體電壓為4V / 80mA。
該電路設計轉用于太空船應運,也非常的合適不同的微波通信和mm波應運和軟件。