CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板選取標準化的pHEMT施工工藝造成:柵極的長度0.25μm,完成基鋼板的通孔,自然空氣橋和光學束柵星空刻。
微波射頻元功率器件
CHA3666-99F 放大器– LNA
頻射上行速率(GHZ): 6 - 17增益值(dB):21增加收益同軸度(dB):0.5躁聲公式(dB):1.8P-1dB傳輸(dBm):17定貨交貨時間:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路板選取標準化的pHEMT施工工藝造成:柵極的長度0.25μm,完成基鋼板的通孔,自然空氣橋和光學束柵星空刻。