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微波加熱元電子器件
硅基氮化鎵寬帶晶體管，DC-6 GHz，5W，28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW，脈沖和線性操作而設計，采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝，輸出功率水平高達5W（37 dBm）。在低于3GHz的頻率下，NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的網絡帶寬正常運行
- NPTB00004的帶替品下滑
- 排水性率高（> 55％）
- 互聯網行業準則氟塑料禮品盒
- 28V操控
應用領域
- 飛防航空工業與中國國防
- 網絡帶寬常用
- 中國軍事通信技術
- 極權主義
- VHF / UHF / L股票波段聲納
- wlan基礎理論裝置