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芯片衰減器

極為重要參數設置

集成電路芯片衰減器,最多250瓦，最多18 GHz，細則衰減器在任何平均溫暖下勻稱等地大幅度降低RF輸出，而平均溫暖可變性心片結構設計為在高溫下增加其衰減，以給予信號燈調平廣泛應用領域必需的更好運行。團狀衰減器使用縮放器用電線路，閱讀器，上/下換算器，相位自動匹配陣列和按鈕廣泛應用領域。只能根據必需的型號規格，還可以在中帶薄或厚電容的BeO，氮化鋁或氧化反應鋁陶瓷廠家上創造心片。

品牌：MACOM

產品設備詳情頁講述

集成電路芯片衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040