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AM030WH4-BI-R是砷化鎵HIFET的BI一系列的一要素分。HiFET一種的個部分識別的申請的設備安裝，在高壓電、大馬力、高規則化和寬帶網用途。這的個部分的設備的總外邊為12亳米。AM030WH4-BI-R專為高輸出微波射頻應用而設計方案，作業次數可高達6GHz。BI款型用于特色構思的陶瓷圖片芯片封裝，直或彎的引線和法蘭盤部用于放入式配置模式。封裝尾部的法蘭盤部并且看做直流變壓器與地面、頻射與地面和熱路通道。此種HiFET符合標準RoHS標準化。

功能

·20至32伏漏極偏壓

·可以達到6GHz的低頻工作

·高增益值：G=19dB@2GHz

·高輸出功率：P1dB=37dBm@2.4GHz

·高波形：IP3=50dBm@2.4GHz

·更好散熱的衛浴陶瓷禮品盒

app

·帶寬利用

·高壓20至32V

·wifi當地環交通網絡

·人個測算機移動基站

·WLAN、中繼器和超無線局域網

·C頻譜VSAT

·航空公司網絡通信系統