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微波通信元集成電路芯片
AM020WH2-BI-R是砷化鎵HIFET的BI系類的一臺分。HiFET是種組成部位輸入的專利申請的產品配制，使用髙壓、大功效和光纖寬帶利用。該組成部位的總的產品外場為4亳米（兩種2直徑FET并接）。AM020WH2-BI-R專為高輸出功率微波射頻適用而設置，作業頻繁大約12GHz。它也是較大公率產品的期望安裝驅動程度。BI類別主要包括特有設汁的瓷器打包封裝，主要包括置入式裝方式方法，有點內彎（BI-G）或直（BI）接地裝置線線。封口底層的活套法蘭一并當作電流接地裝置線、頻射接地裝置線和熱通路。此一部分適合RoHS。
結構特征
萬代高達12GHz的中頻基本操作
高增益值和高工作電壓，P1dB=33 dBm@4 GHz
外表貼裝
很好的散熱的社會底層
選用
無限本地化環鐵路網絡
蜂窩wlan電通信設備
WLAN、中繼器和超局域網共享
C光波VSAT
預警雷達